P r o d u c t
Galium Nitride Wafer
GaN wafer 질화갈륨 웨이퍼
질화갈륨(GaN) 단결정 기판은 차세대 반도체의 핵심 소재로, 규격별 2inch, 4inch, 6inch로 구분되며, 순수 GaN wafer(substrate)와 GaN Epi wafer로 구분됩니다.
질화갈륨은 차세대 반도체를 필두로 스마트 그리드, 자동차, 5G 통신, 에너지 절약형 조명, 디스플레이 등 다양한 산업 분야의 핵심 소재로 각광받고 있습니다.
*해당 페이지에는 전체 제품 중 일부 규격에 한해 기재되어 있습니다. 기재되어 있지 않은 규격의 제품도 맞춤 공급 가능합니다.
특징
무취 · 무독성
고순도 (99.999% 이상)
매끄럽고 기공 없는 표면
화학적 불활성
상온에서 산 · 알칼리 · 염 · 유기 시약 등에 불활성
용융 금속, 반도체 및 기타 화합물에 불활성
장점
높은 전기 저항성 및 전기 절연성
고온 적합성
고온에서 산 · 알칼리에 반응성 없음
내산화성 우수 (1000℃ 이하)
내열 충격성 우수
3000℃ 이상에서 승화점 없이 붕소(B)와 질소(N)로 분해
규격
동호무역 전체 제품 규격 중 일부가 기재되어 있습니다.
기재되어 있지 않은 규격의 제품이더라도 고객 요구에 따른 맞춤 규격으로 공급드리고 있습니다.
일반 사양
Density
Tensile Strength
Bending Strength
Compression Strength
1.95 ~ 2.20 g/cm³
112 MPa
173 MPa
154 MPa
Young's Modulus
Thermal Conductivity
Specific Heat
Resistivity
18 Gpa
"a" 60 "c" 2 W/mºC
0.90 (RT) J/gºC
2 x 10¹⁵ Ω·cm
Dielectric Strength
Dielectric Constant
Metal Impurity Content
2 x 10¹⁵ D.C. volts/mm
"c" 3.07
< 10 ppm
PBN Boat
Instruction
Before the compound semiconductor single crystal growth, it is usually synthesis the compound semiconductor polycrystalline material first.
PBN Boat is ideal vessel for polycrystalline synthesis.
Feature
High Purity (99.999%)
No wetting with melt metal
Thermal conductivity controllable, improve the rate of yield
Excellent thermal shock resistance
Easy cleaning and Reusability
Inert, no reaction with acid and alkali
Specification
Type -1
Type -2
Type -3
Type -4
Length
2" ~ 15"
6" ~ 20"
6" ~ 20"
6" ~ 20"
Height
0.5" ~ 1"
1"
1.5"
2"
Thickness
0.035" ~ 0.08"
0.035" ~ 0.08"
0.035" ~ 0.08"
0.035" ~ 0.08"
· This form is for typical sizes, other size is customizable.
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