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    질화갈륨 웨이퍼

    >    반도체     >

    질화갈륨 웨이퍼

    Galium Nitride Wafer
    GaN wafer      질화갈륨 웨이퍼 

    1. · 무독·무취
    2. · 고순도(99.999%이상)
    3. · 매끄럽고 기공없는 표면
    4. · 우수한 전기 저항성 및 전기 절연성
    5. · 화학적 불활성
    6.      상온 - 산·알칼리·염·유기 시약 등에 불활성
    7.      용융 금속, 반도체 및 기타 화합물과 불활성
    8. · 고온 적합성
    9.      고온 - 산·알칼리에 불활성
    10.      내산화성 우수(1000℃ 이하)
    11.      내열충격성 우수
    12.      승화점 없이 3000℃ 이상에서 붕소(B)와 질소(N)로 분해

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